ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ принял участие в ежегодном форуме «Открытые инновации»

6 ноября 2018

Форум проводится в Москве с 2012 года под эгидой Правительства Российской Федерации с целью развития и коммерциализации новейших технологий, популяризации мировых технологических брендов и создания новых инструментов международного сотрудничества в сфере инноваций.

В рамках форума состоялся российско-китайский День науки. Китайскую делегацию возглавил заместитель Министра науки и техники КНР Чжан Цзяньго. На совместном семинаре, посвященном переходу к новым материалам и способам конструирования, директор ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ Каргин Николай Иванович рассказал о новом направлении университета по разработке компонентов интегральной сверхвысокочастотной радиофотоники:

«Это одно из перспективных научно-технологических направлений, находящихся на стыке наук СВЧ электроники и фотоники, уникальное сочетание свойств которых позволяет значительно увеличить пропускную способность систем связи, частотный диапазон устройств передачи информации и повысить помехозащищённость приемо-передающих приборов».

Представители Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике Роман Рыжук и Роман Захарченко представили на форуме результаты разработок НОЦ «Нанотехнологии», такие как дискретные транзисторы на платформах GaAs и GaN, матрица светодиодов на основе InGaN, а также усилитель мощности на основе нитрида галлия, предназначенный для использования в приборах радиосвязи, бортовой аппаратуре космических аппаратов, а также объектах с повышенным уровнем радиации.

Разработки вызвали большой интерес среди представителей научных и коммерческих организаций. Первый заместитель Министра Министерства науки и высшего образования Российской Федерации Трубников Григорий Владимирович достаточно подробно интересовался технологическими деталями процесса изготовления приборов твердотельной электроники.

Генеральный директор дирекции научно-технических программ Петров Андрей Николаевич, в свою очередь, большое внимание уделил вопросу коммерциализации представленных разработок.

В ходе форума участники обменялись информационными материалами и контактными данными.

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Московский инженерно-физический институт) образован 8 апреля 2009 года на базе Московского инженерно-физического института (государственного университета). Историю ведёт от основанного в 1942 году Московского механического института боеприпасов (ММИБ). Первоначальной целью института ставилась подготовка специалистов для военных и атомных программ Советского Союза. В 1945 г. переименован в Московский механический институт, а в 1953 г. в Московский инженерно-физический институт (МИФИ). С 1993 г. — Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет). С 2003 г. — Московский инженерно-физический институт (государственный университет). С 2009 г. - Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ".