Сотрудники Научно-исследовательского института научно-производственного объединения «Луч» (АО «НИИ НПО «Луч», Подольск, входит в Научный дивизион госкорпорации «Росатом») разработали технологию и аппаратурно-технологическую схему изготовления особо чистого гексафторида вольфрама.
В период с 2023 по 2024 год работа проводилась в рамках государственного контракта с Минпромторгом России. Создание нового участка для производства гексафторида вольфрама в России направлено на импортозамещение, достижение технологической независимости (пока страна не может обходиться без зарубежных поставок этого важного химического вещества).
В настоящее время ведутся работы по проектированию первого в России производственного участка по выпуску этого соединения. Он будет включать полную цепочку технологического и аналитического оборудования для производства гексафторида вольфрама.
«Создание отечественного производства особо чистого гексафторида вольфрама невозможно без разработки технологии полного цикла получения данного соединения, отвечающего современным требованиям охраны труда и экологической безопасности. В результате совместной работы со специалистами Нижегородского государственного университета имени Н. И. Лобачевского, компании ООО «Ферри Ватт», Института химии высокочистых веществ имени Г. Г. Девятых Российской академии наук, Томского государственного университета удалось создать уникальное оборудование для оснащения нового производства. Изготовлены лабораторная и опытная установки сорбционной очистки гексафторида вольфрама, опытная установка ректификационной очистки. Также в настоящее время завершены разработка и аттестация методик измерений газовых и металлических примесей в особо чистом гексафториде вольфрама. Наши научные разработки способствуют развитию импортозамещения, позволяют достичь технологического суверенитета страны», – подчеркнул генеральный директор АО «НИИ НПО «Луч» Павел Карболин.
Особо чистый гексафторид вольфрама используется в микроэлектронике, например, при производстве полупроводников для осаждения металлического слоя вольфрама из газовой фазы. Этот слой отличается высокой химической и термостабильностью, низким сопротивлением и служит защитой для плат и схем. Также гексафторид вольфрама применяется для получения покрытий и изделий из высокочистого вольфрама методами газофазной металлургии (водородное восстановление, химические транспортные реакции).