МФТИ спроектировал V-образный волновод для будущих фотонных чипов

V-образный канал в слое MoOCl₂ удерживает свет в области размером меньше длины волны. Цветовая карта показывает распределение электрического поля: максимум поля сосредоточен около канавки, которая направляет оптический сигнал вдоль волновода. Слева показана кристаллическая структура MoOCl₂, внизу — схема поперечного сечения волновода.
V-образный канал в слое MoOCl₂ удерживает свет в области размером меньше длины волны. Цветовая карта показывает распределение электрического поля: максимум поля сосредоточен около канавки, которая направляет оптический сигнал вдоль волновода. Слева показана кристаллическая структура MoOCl₂, внизу — схема поперечного сечения волновода. © Журнал Photonics
Новости
31
Источник: