Президент (41)

Красников Геннадий Яковлевич

Родился 30 апреля 1958 г. в Тамбове. В 1981 г. с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники. В том же году пришел на работу в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) с опытным заводом «Микрон». В 1990 году по окончании аспирантуры МИЭТ успешно защитил кандидатскую диссертацию. Пройдя последовательно все должности (инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель главного инженера, заместитель генерального директора), в начале августа 1991 года был назначен директором НИИ молекулярной электроники с опытным заводом «Микрон». В декабре того же года на альтернативных выборах был избран директором большинством голосов всего трудового коллектива (около 7000 человек). В марте 1992 году министр промышленности Правительства России подтвердил приказом назначение Г.Я. Красникова директором предприятия. В 1994 году постановлением Правительства РФ Г.Я. Красников был назначен генеральным директором АООТ «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (позднее – ОАО «НИИМЭ и «Микрон») и сохранял эту должность до 2016 года. В 1996 году Г.Я. Красников защитил докторскую диссертацию, а в 1997 году был избран член-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (вычислительная техника и элементная база). В 2008 году Г.Я. Красников был избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника). В 2017 году Г.Я. Красников был избран членом Президиума РАН.В 2021 году Г.Я. Красников был избран иностранным членом Национальной академии наук Беларуси. С 2016 года Г.Я. Красников – генеральный директор АО «НИИМЭ», председатель совета директоров ПАО «Микрон» и председатель совета директоров АО «НИИТМ» (НИИ точной механики). Г.Я. Красников – крупный ученый с мировым именем в области физики полупроводников, диэлектриков и гетероструктур на их основе, технологий создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и обеспечения качества их разработки и промышленного производства. Академиком Красниковым созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем. Автор более 400 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов. Академик Красников развивает научную школу по наноэлектронным транзисторным структурам и руководит разработкой микроэлектронных технологий, критически важных для обеспечения государственной безопасности и запрещенных к экспорту в Россию. Совместно с научными коллективами академических институтов и промышленных НИИ создал консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», в рамках которого осуществляются фундаментальные исследования в области электронных технологий. Научные достижения Г.Я. Красникова легли в основу создания более 200 типов микросхем, которые ранее выпускались за пределами РФ. Создан уникальный комплекс по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65нм, на базе которых реализованы важнейшие государственные проекты в области информационных технологий, энергетики, транспорта, связи и финансового сектора. В 2016 году решением президента Российской Федерации В.В. Путина академик Г.Я. Красников наделен полномочиями руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям. Академик Красников - руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», член НТС Военно-промышленной комиссии РФ, член Межведомственного совета по присуждению премий Правительства в области науки и техники, член Комиссии по кадровым вопросам Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, председатель научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», председатель научного Совета при президиуме РАН "Квантовые технологии", член Совета РАН по исследованиям в области обороны, член Научно-координационного совета РАН по проблемам прогнозирования и стратегического планирования в Российской Федерации, член Межакадемического совета по проблемам развития Союзного государства, член наблюдательного Совета Новосибирского национального исследовательского государственного университета и Национального исследовательского университета «МИЭТ», почетный доктор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета Российской академии наук. Г.Я. Красников возглавляет базовую кафедру «Микро- и наноэлектроники» в Московском физико-техническом институте (МФТИ) и базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники. Академик Красников является главным редактором журналов «Микроэлектроника», «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника», «Интеллект&Технологии», членом редколлегии журналов «Известия высших учебных заведений. Электроника», «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Нано- и микросистемная техника», «Труды МФТИ». Лауреат государственной премии РФ в области науки и технологии (2014), трех премий Правительства РФ в области науки и техники (1999, 2009, 2019). Награжден орденом Почёта (1999), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), орденом Дружбы (2014), орденом Александра Невского (2018), медалью "В память 850-летия Москвы" (1997). Лауреат премии Миноборонпрома России за работы в области науки, техники и технологий, ордена «Знак Почета» Миноборонпрома России. Лауреат Государственной премии республики Мордовия за выдающийся вклад в развитие научно-инновационного потенциала республики Мордовия и плодотворное сотрудничество, ордена Славы III степени республики Мордовия, награжден медалью «За заслуги» республики Мордовия. Награжден медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий (2016). Отмечен личными благодарностями президента РФ, председателя Правительства РФ, мэра Москвы, руководителей федеральных органов исполнительной власти, губернаторов ряда регионов РФ.

Титов Вадим Петрович

В 2009 году пришел в ГК «Росатом» на должность специалиста управления по работе с регионами. В октябре 2019-го стал президентом РМС.

Брилев Сергей Борисович

Российский телеведущий, писатель и общественный деятель. Зам. директора телеканала «Россия» по специальным информационным проектам, президент Института Беринга-Беллинсгаузена по изучению обеих Америк (Монтевидео), член Президиума Совета по внешней и оборонной политике (Москва), единственный российский журналист, который взял интервью у обеих последних пар президентов РФ и США: у Путина и Медведева, Буша и Обамы. Родился 24 июля 1972 года в Гаване (Куба). Окончил МГИМО МИД РФ (1995, Москва), Институт иностранных языков Монтевидео (1991, Уругвай), курсы Би-Би-Си (1995, Лондон). Карьера: 1990–1993: «Комсомольская правда». Практикант, стипендиат, корреспондент-стажёр отдела науки и образования. 1993–1995: «Московские новости». Специальный корреспондент международного отдела. Параллельно был московским корреспондентом уругвайской EI Observador Económico и аргентинской La Razón и экспертом по Латинской Америке Государственной Думы РФ. С 1995 г. — телеканал «Россия» (РТР). В том числе: 1995–1996: спецкор «Вестей» (в том числе во время «Первой чеченской»). В 1996–2001: зав. бюро в Лондоне. Первый эфир в качестве ведущего пришелся на 11 сентября 2001 года (день терактов в США). 2001-2003: ведущий вечерних «Вестей» 2003-2007: ведущий «Вестей недели», зам. директора Дирекции информационных программ С 2008: ведущий программы «Вести в субботу», зам. директора телеканала «Россия» Авто многочисленных документальных фильмов: «Тайна трех океанов», «Конституционная практика», «Думская мысль», «Право на право», «Тяжелая нефть», «Другой уголь», «Карибский кризис. Непонятая история», «Линия Назарбаева» и т.п. Автор книг «Забытые союзники во Второй мировой войне» (2012) и «Фидель. Футбол. Фолкленды» (2008) Одно из основных направлений профессиональной деятельности — эксклюзивные интервью с «первыми лицами». В частности, в Латинской Америке это — Чавес (Венесуэла), Ортега (Никарагуа), Корреа (Эквадор), Моралес (Боливия), Сангинетти (Уругвай), Бачелет (Чили) и т. д. Указами президента РФ награжден орденом Дружбы, медалями «300 лет Петербурга» и «1000 лет Казани» (2005). Многократный финалист и победитель «ТЭФИ». Свободно владеет английским и испанским языком.

Котин Петр Борисович

Петр Котин родился 13 апреля 1961 года в г. Владимир. Окончил Московский инженерно-физический институт по специальности «Атомные электростанции и установки». По окончании обучения в 1985 году принят на должность оператора реакторного цеха Запорожской АЭС. Прошел все ступени оперативного управления, работал в сфере международной деятельности. В центральной дирекции Компании Энергоатом Петр Котин возглавлял блок производства и работал над международными проектами, с 2014 года вел стратегический для Украины проект «Энергетический мост Украина - Европейский союз». С 26 августа 2019 года - генеральный директор Запорожской АЭС С 29 марта 2020 года - и.о. президента НАЭК "Энергоатом"

Минниханов Рустам Нугралиевич

Родился 1 марта 1957 г. в с. Новый Арыш Рыбно-Слободского района Татарской АССР. Образование: В 1978 г. окончил Казанский сельскохозяйственный институт, специальность «механизация сельского хозяйства», квалификация «инженер-механик», г.Казань В 1986 г. окончил Заочный институт советской торговли, специальность «товароведение и организация торговли продовольственными товарами», квалификация «товаровед высшей квалификации», г.Москва. Трудовая деятельность: В 1978-80 гг. – инженер-диагностик Сабинского районного объединения "Сельхозтехника". В 1980-83 гг. - старший энергетик, главный энергетик Сабинского леспромхоза. В 1983-85 гг. - зам. председателя правления Сабинского райпо. В 1985-90 гг. - председатель правления Арского райпо, в 1990-92 гг. - председатель Арского райисполкома, в 1992-93 гг. - первый зам. главы администрации Арского района. В 1993-96 гг. - глава администрации Высокогорского района. В 1996-98 гг. - министр финансов Республики Татарстан. В 1998 г. возглавил Правительство Республики Татарстан. С 25 марта 2010 года – Президент Республики Татарстан. С 24 марта 2015 года – временно исполняющий обязанности Президента Республики Татарстан. С 18 сентября 2015 года – Президент Республики Татарстан. Ученая степень, звание: Доктор экономических наук (2003 год). Государственные награды: Орден Дружбы (2002г.); Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2007г.); Орден «За заслуги перед Республикой Татарстан» (2007г.); Медаль «В память 300-летия Санкт-Петербурга» (2003г.); Медаль «В память 1000-летия Казани» (2005г.); Медаль «В ознаменование добычи 3 миллиардной тонны нефти Татарстана» (2007г.); Благодарность Президента Российской Федерации (2008г.); Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники (2009г.); Почетная грамота Президента Российской Федерации (2009); Почетная грамота Правительства Российской Федерации (2010); Благодарность Президента Российской Федерации (2012); Благодарность Правительства Российской Федерации (2012, 2013); Орден Почета (2014г.). Женат, воспитывает сына. Увлекается автоспортом. Заслуженный мастер спорта.

Еньшина Евгения Викторовна

Помощник директора по государственной политике в области РАО, ОЯТ и ВЭ ЯРОО Госкорпорации "Росатом" Олега Крюкова, глава национального отделения "Женщины атомной отрасли"(WiN Russia), президент Фонда развития профессиональных инициатив "Женщины атомной отрасли".

Страницы