Приемная кампания НИЯУ МИФИ подошла к завершению, приказы о зачислении бакалавров, специалистов, магистров и аспирантов опубликованы на сайте Приемной комиссии.
В 2018 году НИЯУ МИФИ стал лидером среди российских вузов по проходному баллу сразу на две специальности: «Информатика и вычислительная техника» и «Электроника и наноэлектроника». Университет вошел в тройку лидеров по проходным баллам на специальность «физика».
На московскую площадку в 2018 году подали документы 4027 абитуриентов, из них 1315 абитуриентов стали студентами одного из ведущих российских вузов в области инженерного образования. Самым популярным направлением обучения среди российских абитуриентов по количеству поданных заявлений стало направление «Ядерные физика и технологии» - 746 заявлений.
Наблюдается стабильный рост среднего балла единого государственного экзамена среди поступающих. В этом году показатели ЕГЭ снова заметно возросли: 92,3 балла по сравнению с 90,5 баллами в прошлом году и 89 баллами в позапрошлом. Средний балл повысился практически на все профильные направления/специальности. В этом году 38% из числа поступивших являются победителями и призерами олимпиад, а 40% зачисленных имеют аттестат с отличием.
Приемная комиссия НИЯУ МИФИ уже не первый год предоставляла абитуриентам возможность заполнить электронные формы регистрации на сайте еще до подачи документов. Благодаря предварительной регистрации и электронной очереди абитуриенты перестали тратить время на ожидание. Родители абитуриентов отметили высокую организацию приемной комиссии университета: «Во всех предыдущих университетах мы не знали, куда идти и были немного растеряны, а здесь нас порадовала коммуникабельность и общительность студентов, которые сразу пришли к нам на помощь» – рассказала мама одного из абитуриентов Инна Мерзлякова. Также родители поступающих рассказали о преимуществах обучения в НИЯУ МИФИ, среди которых обучение прикладным и востребованным специальностям, наличие инновационных направлений и студенческих общежитий в непосредственной близости от учебного корпуса.