ОИЯИ получил патент на гибридный пиксельный детектор ионизирующих излучений

Отдел лицензий и интеллектуальной собственности ОИЯИ сообщает, что Объединенным институтом ядерных исследований был получен патент на изобретение «Гибридный пиксельный детектор ионизирующих излучений». Авторами работы являются Кожевников Данила Александрович, Шелков Георгий Александрович, Смолянский Петр Игоревич.

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующего излучения. Гибридный пиксельный детектор ионизирующих излучений содержит полупроводниковый структурированный сенсор для регистрации ионизирующих излучений, состоящий из матрицы столбчатых элементов, электрически изолированных друг от друга тонким слоем диэлектрика, и регистрирующую матричную микросхему, соединенные методом перевернутого кристалла, при этом толщина сенсора составляет 4 мм, а размер пикселя сенсора — 55 мкм или 110 мкм. Технический результат – повышение эффективности регистрации излучения, повышение пространственного и энергетического разрешения детектора.

Также Объединенным институтом ядерных исследований был получен патент на изобретение «Твердотельный конденсатор-ионистор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика». Авторами работы являются Дорошкевич Александр Сергеевич, Шило Артем Владимирович, Зеленяк Татьяна Юрьевна, Константинова Татьяна Евгеньевна, Любчик Андрей Игоревич, Татаринова Алиса Александровна, Гридина Елизавета Алексевна, Дорошкевич Неля Викторовна.

Твердотельный конденсатор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика, относится к области твердотельной нано- и микроэлектроники, в частности, суперконденсаторам или ионисторам. Твердотельный конденсатор-ионистор содержит два электрода из пористого углерода и размещенный между ними слой диэлектрического материала из многокомпонентного оксида в виде компакта. Компакт получают обработкой одноосным давлением 40 МПа, а затем гидростатическим давлением 50 МПа из монодисперсного нанопорошка с размером частиц 7,5-96 нм. Устранение негативного влияния токов утечки на предельные температурные и емкостные характеристики твердотельного ионистора является техническим результатом изобретения. Кроме того, повышена способность устройства к масштабируемости в субмикроскопический размерный диапазон.

Объединенный институт ядерных исследований (ОИЯИ) был создан на основе Соглашения, подписанного 26 марта 1956 г. в Москве представителями правительств одиннадцати стран-учредителей, с целью объединения их научного и материального потенциала для изучения фундаментальных свойств материи. Институт расположен в Дубне, в 120 км от Москвы, в Российской Федерации. Сегодня Объединенный институт ядерных исследований является всемирно известным научным центром, в котором фундаментальные исследования (теоретические и экспериментальные) успешно интегрированы с разработкой и применением новейших технологий и университетским образованием. Членами ОИЯИ являются 18 государств.