Недавно Nuclear Chuangxin (Wuxi) Technology Co., Ltd., дочерняя компания Государственной энергетической инвестиционной корпорации (далее «Nuclear Chuangxin») и Центр исследований и разработок ядерных технологий Национального агентства по атомной энергии завершили поставку первой партии чипов с оптимизированными характеристиками имплантации ионов водорода. Это свидетельствует о том, что Китай полностью освоил ключевую технологию и процесс высокоэнергетической ионной имплантации силовых полупроводников, восполнив важное недостающее звено в цепочке китайской промышленности полупроводников и заложив основу для комплексной внутренней замены оборудования и процессов ионной имплантации.
Имплантация ионов водорода является важным звеном в производстве полупроводниковых пластин после фотолитографии. Она играет ключевую роль в процессе производства различных типов полупроводниковой продукции, таких как интегральные схемы, силовые полупроводники и полупроводники третьего поколения. Отсутствие ключевых технологий и оборудования в этой области серьезно ограничивает развитие полупроводниковой промышленности Китая. В частности, высоковольтные чипы с напряжением выше 600В уже давно импортируются. Технологический прорыв, совершенный Nuclear Chuangxin, способен разрушить иностранную монополию.
В неблагоприятных условиях санкций со стороны иностранных поставщиков ключевых технологий и оборудования, компания «Nuclear Chuangxin» продолжает оставаться самостоятельной, внедряет инновации и создает новые производительные силы. Менее чем за три года она преодолела ряд ключевых технических барьеров и достигла 100% независимости технологий и 100% локализации оборудования. Первая партия поставленных чипов прошла почти 10 000 часов ресурсных испытаний. Ее основные технические показатели достигли передового международного уровня и получили высокую оценку заказчиков.
