Академик РАН (30)

Бисикало Дмитрий Валерьевич

В 1984 году окончил Московский физико-технический институт. В 1984 году поступил в аспирантуру Астрономического совета АН СССР (в настоящее время — Институт астрономии Российской академии наук). В 1988 году защитил кандидатскую диссертацию по специальности 01.03.02 «Астрофизика» по теме «Исследование внутренней комы кометы методами континуальной и молекулярной газодинамики». В 1998 году защитил докторскую диссертацию в Государственном астрономическом институте им. П. К. Штернберга Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова по теме «Исследование газодинамики переноса вещества во взаимодействующих двойных системах».

Шагалиев Рашит Мирзагалиевич

Заместитель директора по приоритетному технологическому направлению, заместитель научного руководителя РФЯЦ-ВНИИЭФ, первый заместитель директора ИТМФ-начальник НИО, ФГУП "Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ") Родился 29 сентября 1950 Российский учёный в области вычислительной математики, доктор физико-математических наук, заслуженный деятель науки РФ, лауреат Государственной премии РФ и премии Правительства РФ. Член-корреспондент РАН с 2022 года. Основные научные результаты Шагалиева Р.М.: созданы базовые математические методики, крупные комплексы программ и базы данных для полномасштабного суперкомпьютерного моделирования процессов физики и на их основе уникальные расчетные технологии, являющиеся ключевой компонентой расчетно-теоретических технологий обеспечения безопасности, эффективности и надежности функционирования различных объектов; создан прикладной пакет программ ЛОГОС для суперкомпьютерного моделирования и инженерного анализа, успешно используемый в работе предприятий промышленности; разработаны защищенная операционная система и отечественная коммуникационная система для супер-ЭВМ, не имеющие отечественных аналогов. Шагалиев Р.М. - главный конструктор линейки супер-ЭВМ из отечественных компонентов, возглавляет крупнейший в России Центр математического моделирования, проектирования и создания супер-ЭВМ различного класса и назначения, в том числе сверхмощных супер-ЭВМ. Шагалиев Р.М. ведет преподавательскую работу, заведует Кафедрой прикладной математики Саровского физико-технического института. Шагалиев Р.М. - главный редактор серии "Математическое моделирование физических процессов" журнала "Вопросы атомной науки и техники"; председатель 1 диссертационного совета. Награды и премии Лауреат Государственной премии СССР - 1991 г. "Заслуженный деятель науки РФ" - 1996г. Лауреат премии Правительства РФ - 2002г. орден Почета - 2005г. медаль ордена "За заслуги перед Отечеством" II степени - 2011г. благодарность Правительства РФ - 2014г. орден "За военные заслуги" - 2017г. знак отличия "Е.П. Славский" - 2020г.

Красников Геннадий Яковлевич

Родился 30 апреля 1958 г. в Тамбове. В 1981 г. с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники. В том же году пришел на работу в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) с опытным заводом «Микрон». В 1990 году по окончании аспирантуры МИЭТ успешно защитил кандидатскую диссертацию. Пройдя последовательно все должности (инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель главного инженера, заместитель генерального директора), в начале августа 1991 года был назначен директором НИИ молекулярной электроники с опытным заводом «Микрон». В декабре того же года на альтернативных выборах был избран директором большинством голосов всего трудового коллектива (около 7000 человек). В марте 1992 году министр промышленности Правительства России подтвердил приказом назначение Г.Я. Красникова директором предприятия. В 1994 году постановлением Правительства РФ Г.Я. Красников был назначен генеральным директором АООТ «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (позднее – ОАО «НИИМЭ и «Микрон») и сохранял эту должность до 2016 года. В 1996 году Г.Я. Красников защитил докторскую диссертацию, а в 1997 году был избран член-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (вычислительная техника и элементная база). В 2008 году Г.Я. Красников был избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника). В 2017 году Г.Я. Красников был избран членом Президиума РАН.В 2021 году Г.Я. Красников был избран иностранным членом Национальной академии наук Беларуси. С 2016 года Г.Я. Красников – генеральный директор АО «НИИМЭ», председатель совета директоров ПАО «Микрон» и председатель совета директоров АО «НИИТМ» (НИИ точной механики). Г.Я. Красников – крупный ученый с мировым именем в области физики полупроводников, диэлектриков и гетероструктур на их основе, технологий создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и обеспечения качества их разработки и промышленного производства. Академиком Красниковым созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем. Автор более 400 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов. Академик Красников развивает научную школу по наноэлектронным транзисторным структурам и руководит разработкой микроэлектронных технологий, критически важных для обеспечения государственной безопасности и запрещенных к экспорту в Россию. Совместно с научными коллективами академических институтов и промышленных НИИ создал консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», в рамках которого осуществляются фундаментальные исследования в области электронных технологий. Научные достижения Г.Я. Красникова легли в основу создания более 200 типов микросхем, которые ранее выпускались за пределами РФ. Создан уникальный комплекс по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65нм, на базе которых реализованы важнейшие государственные проекты в области информационных технологий, энергетики, транспорта, связи и финансового сектора. В 2016 году решением президента Российской Федерации В.В. Путина академик Г.Я. Красников наделен полномочиями руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям. Академик Красников - руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», член НТС Военно-промышленной комиссии РФ, член Межведомственного совета по присуждению премий Правительства в области науки и техники, член Комиссии по кадровым вопросам Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, председатель научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», председатель научного Совета при президиуме РАН "Квантовые технологии", член Совета РАН по исследованиям в области обороны, член Научно-координационного совета РАН по проблемам прогнозирования и стратегического планирования в Российской Федерации, член Межакадемического совета по проблемам развития Союзного государства, член наблюдательного Совета Новосибирского национального исследовательского государственного университета и Национального исследовательского университета «МИЭТ», почетный доктор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета Российской академии наук. Г.Я. Красников возглавляет базовую кафедру «Микро- и наноэлектроники» в Московском физико-техническом институте (МФТИ) и базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники. Академик Красников является главным редактором журналов «Микроэлектроника», «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника», «Интеллект&Технологии», членом редколлегии журналов «Известия высших учебных заведений. Электроника», «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Нано- и микросистемная техника», «Труды МФТИ». Лауреат государственной премии РФ в области науки и технологии (2014), трех премий Правительства РФ в области науки и техники (1999, 2009, 2019). Награжден орденом Почёта (1999), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), орденом Дружбы (2014), орденом Александра Невского (2018), медалью "В память 850-летия Москвы" (1997). Лауреат премии Миноборонпрома России за работы в области науки, техники и технологий, ордена «Знак Почета» Миноборонпрома России. Лауреат Государственной премии республики Мордовия за выдающийся вклад в развитие научно-инновационного потенциала республики Мордовия и плодотворное сотрудничество, ордена Славы III степени республики Мордовия, награжден медалью «За заслуги» республики Мордовия. Награжден медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий (2016). Отмечен личными благодарностями президента РФ, председателя Правительства РФ, мэра Москвы, руководителей федеральных органов исполнительной власти, губернаторов ряда регионов РФ.

Важенин Андрей Владимирович

Исполняющий обязанности ректора Южно-Уральского государственного медицинского университета. Родился в Челябинске, в семье врачей, в 1975 году окончил Челябинскую физико-математическую школу № 31. Выпускник Челябинского государственного медицинского института, в 1981 году с отличием окончил лечебный факультет, поступил в клиническую ординатуру на кафедре онкологии ЧГМА. После окончания ординатуры в 1983 году начал работу в Челябинском областном клиническом онкологическом диспансере в качестве радиационного онколога. В 1986 году в Сибирском филиале ОНЦ РАМН (г. Томск) защитил кандидатскую диссертацию. В 1993 году в Московском научно-исследовательском рентгено-радиологичечском институте МЗ РФ защитил докторскую диссертацию. В 1998 году присвоено учёное звание профессора. Заведует кафедрой Онкологии, лучевой диагностики и лучевой терапии ЮУГМУ. Автор 820 опубликованных научных работ. Под руководством профессора Важенина А.В. защищено 100 кандидатских и 18 докторских диссертаций. Автор 34 патентов и изобретений. Неоднократно повышал квалификацию в центральных Российских онко-радиологических клиниках. Прошёл стажировку по клинической радиологии в зарубежных университетах. Академик РАН, доктор медицинских наук, профессор, Заслуженный врач РФ исполняет обязанности ректора ФГБОУ ВО ЮУГМУ Минздрава России (назначен приказом Министра здравоохранения РФ № 90пк от 30.04.2021 года).

Смирнов Валентин Пантелеймонович

Валентин Пантелеймонович Смирнов родился 2 октября в 1937 года, в пос. Дубровицы Подольского района Московской области. В 1961 году окончил Московский физико-технический институт (МФТИ) по специальности «радиофизика» и начал трудовую деятельность в ИАЭ им. И.В. Курчатова (сейчас — НИЦ «Курчатовский Институт»). В 1978 году перешел на работу в филиал ИАЭ в г. Троицке (ТРИНИТИ), а в 1998 — вернулся в Курчатовский институт на должность директора Института ядерного синтеза. С 2011 года — заместитель генерального директора ЗАО «Наука и инновации», научный руководитель по электрофизическому блоку. С 2017 года — научный руководитель НИИ Технической Физики и Автоматизации. В 1998 году возглавил кафедру физики и химии плазмы МФТИ и руководил ей до 2010 года. Член-корреспондент РАН с 1997 года, академик РАН с 2003 года — Отделение энергетики, машиностроения, механики и процессов управления РАН. Специалист в области создания основ термоядерной энергетики и электрофизики, физики высоких плотностей энергии и применения мощной импульсной техники. Основное направление научных интересов академика В.П. Смирнова — термоядерная энергетика, электрофизика, физика плазмы. В первые годы исследовательской работы им под руководством академика Е.К. Завойского был выполнен цикл экспериментальных исследований вч-нагрева плазмы геликонами и магнитно-звуковыми волнами и поведения косых ударных волн в замагниченной плазме. В конце 1960-х годов он начал работы по применению сильноточных релятивистских электронных пучков для поджига термоядерных мишений. Этими работами было заложено новое научное направление в инерционном термоядерном синтезе: в течение десяти лет в группе В.П. Смирнова был предложен целый ряд оригинальных решений по транспортировке пучка и изоляции длинных линий, а также по конструкции мишеней. В 1978 году он возглавил работы по сооружению установки «Ангара» в ТРИНИТИ. Уже в 1986 году на этой установке при взрыве мишени нового типа — многопроволочного лайнера — было зафиксировано мягкое рентгеновское излучение с параметрами, превосходившими полученные в США. После опубликования оригинальных решений, найденных группой В.П. Смирнова, в 1993 г. на «Ангаре» был проведен российско-американский эксперимент, блестяще подтвердивший их перспективность и положивший начало широкому исследованию Z-пинчевых лайнеров во всем мире. За разработку и создание ускорительного комплекса «Ангара-5-1» и цикл физических исследований коллектив В.П. Смирнова был отмечен высокой наградой. Автор и соавтор более 200 научных публикаций и обладатель ряда патентов. Главный редактор журнала «Физика плазмы», член редколлегий журналов «NuclearFusion» и «PlasmaDevicesandOperations». Является научным руководителем программы Росатома по управляемому термоядерному синтезу. В.П. Смирнов представляет Россию в Международном совете по термоядерным исследованиям МАГАТЭ, является членом научно-технического совещательного комитета Международной организации ИТЭР. Награжден Государственной премией СССР, Государственной премией РФ, премией Правительства РФ. Удостоен премии BEAMS DZP за вклад в область сверхмощных пучков частиц и Z-пинчей (2002 г.) и премии имени Х. Альфвена Европейского физического общества за вклад в физику плазмы.

Бухтияров Валерий Иванович

Валерий Иванович Бухтияров – действительный член Российской академии наук (2016), доктор химических наук (1999), профессор (2003), специалист в области физико-химии поверхности, гетерогенного катализа и функциональных наноматериалов, автор и соавтор более 300 научных работ и 16 патентов на изобретения. Родился 14 октября 1961 года в Новосибирске. В 1983 году окончил с отличием Новосибирский государственный университет по специальности «химик». Трудовая биография Вся трудовая деятельность Валерия Ивановича связана с Институтом катализа, в который он поступил в 1983 году стажером-исследователем, через два года стал аспирантом, еще через два – младшим научным сотрудником, защитил кандидатскую диссертацию, работал научным, а затем старшим научным сотрудником. С 1995 по 2000 год В.И. Бухтияров был ученым секретарем Института. В 1999 году защитил докторскую диссертацию по теме «От монокристаллов к наночастицам: молекулярный подход к изучению причин каталитического действия серебра в реакции эпоксидирования этилена». С 2000 года заведует лабораторией исследования поверхности, руководит Отделом гетерогенного катализа. С 2002 по 2015 год Валерий Иванович занимал должность заместителя директора Института по научной работе. В 2003 году утверждён в звании профессора, в 2008 году избран членом-корреспондентом РАН, в 2013 стал главным ученым секретарем Сибирского отделения РАН. С 2015 года Валерий Иванович занимает должность директора Института катализа. В октябре 2016 года избран действительным членом Российской академии наук. Награды В 2003 году Валерий Иванович Бухтияров стал лауреатом фонда имени М.А. Лаврентьева для молодых ученых в номинации «За выдающийся вклад в развитие Сибири и Дальнего Востока». В 2016 году получил премию А.А. Баландина, которая присуждается за выдающиеся работы в области катализа, за серию работ «Наноструктурирование активного компонента – метод управления каталитическими свойствами нанесенных металлических катализаторов в реакциях гидрирования и окисления» (в составе авторского коллектива). Лауреат Премии Правительства Российской Федерации 2019 года в области науки и техники. В 2020 году избран членом Европейской академии (Academia Europaea). Научная деятельность Основные области научных интересов В.И. Бухтиярова – изучение элементарных химических процессов на поверхности твердых тел, в том числе с использованием современных физических методов in situ, установление взаимосвязи «структура – активность» в гетерогенных катализаторах, разработка способов управляемого синтеза функциональных наноматериалов для каталитических приложений. Цель исследований – установление структуры активных центров катализаторов, их трансформации в условиях протекания каталитической реакции и установление взаимосвязи между строением и составом поверхности гетерогенного катализатора и его каталитическими свойствами в промышленно важных реакциях. Для изучения структуры катализаторов (нанесенных металлов, массивных и нанесенных оксидов металлов, цеолитов), в частности, локального состава и структуры каталитически активных центров В.И. Бухтияров предложил использовать комплекс различных спектроскопических методов, в том числе методы рентгеновской дифракции, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, методы рентгеновской EXAFS-спектроскопии поглощения (методики EXAFS – Extended X-ray Absorption Fine Structure и XANES – X-ray Absorption Near Edge Structure), ЯМР, УФ-видимой области и др. Предложенные структуры активных центров во многих случаях подтверждаются квантово-химическими расчетами. Для выяснения последовательности стадий элементарных реакций, по которым реагенты превращаются в продукты, В.И. Бухтияров применяет спектроскопические методы in situ. Развитая им в последние годы активность по управляемому синтезу нанокомпозитных материалов позволяет замкнуть фундаментальный подход к разработке новых каталитических систем, заключающийся в том, что молекулярный дизайн гетерогенных катализаторов с улучшенными каталитическими свойствами (активность, селективность, стабильность) базируется на детальном исследовании механизма изучаемой реакции и структуры активных центров на атомарном уровне. Примеры каталитических процессов, для которых успешно был использован данный подход, включают реакции эпоксидирования этилена на серебре, парциального окисления метанола в формальдегид на меди и смешанных V-Ti-O оксидах, низкотемпературного синтеза аммиака на рутении, промотированном щелочными металлами, полного окисления углеводородов и СО на благородных металлах (платина, палладий, золото), селективного окисления углеводов и электрохимического окисления водорода на золоте и палладии. Иная деятельность Валерий Иванович Бухтияров уделяет большое внимание международному сотрудничеству. Он избирался членом Экспертного совета Берлинского источника синхротронного излучения (BESSY), являлся членом Совета EFCATS (European Federation of Catalytic Societies), действующий представитель от России в Совете Международного конгресса по окислительному катализу (WCOC International Board), а также координирует российскую часть проекта «Развитие методов исследования in situ твердых поверхностей», выполняемого совместно с Институтом Фрица Габера (Общество Макса Планка, Берлин). В.И. Бухтияров активно занимается подготовкой научных кадров. С 2000 года он руководит кафедрой катализа и адсорбции факультета естественных наук НГУ. Под его руководством успешно защищены 11 кандидатских диссертаций. Валерий Иванович Бухтияров – заместитель председателя Объединенного ученого совета СО РАН по химическим наукам, член диссертационных советов Д 003.012.01 при Институте катализа и Д 003.051.01 при Институте неорганической химии СО РАН. Он также является главным редактором журнала «Кинетика и катализ» и членом редакционного совета «Журнала структурной химии».

Логачев Павел Владимирович

Логачёв П.В. родился 13 февраля 1965 г. в пос. Макарак Тисульского района Кемеровской области. С 2015 года по настоящее время – директор ИЯФ СО РАН С 2013 года по 2015 – заместитель директора по научной работе. С 1989 года по настоящее время работает в ИЯФ СО РАН в должности младшего научного сотрудника, научного сотрудника, заведующего сектором, заведующего лабораторией, В 1989 году с отличием окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физик». С 1984 по 1986 годы проходил службу в рядах Советской Армии (в/ч 01480, поселок Печенга Мурманской области). С 1982 по 1989 годы – студент физического факультета НГУ. С 1980 по 1982 годы ученик ФМШ № 165 при НГУ (классы 9-2 и 10-2). Логачёв П.В. – специалист в области физики пучков заряженных частиц и ускорительной техники, автор 85 научных работ. Основные научные результаты.: впервые экспериментально получены и исследованы ультрахолодные электронные пучки и короткие интенсивные сгустки электронов с арсенид-галлиевого фотокатода; в ИЯФ СО РАН впервые в России была создана современная технология разработки и производства высокочастотных линейных ускорителей S – диапазона (3 ГГц), включающая в себя все необходимые элементы; предложен, исследован и успешно применен на практике новый метод неразрушающей диагностики мощных интенсивных пучков заряженных частиц, основанный на взаимодействии электронного пучка низкой энергии с основным интенсивным пучком; разработан и успешно испытан опытный образец мощной вращающейся твердотельной мишени на основе углеродных материалов, (непрерывная плотность мощности в пучке на мишени 100 кВт/см2 ); впервые в России разработан и создан для ядерного оружейного комплекса уникальный линейный индукционный ускоритель (ЛИУ-2), который станет инжектором для импульсного рентгенографического комплекса РФЯЦ ВНИИТФ нового поколения, обладающий рекордными параметрами. В 1996 году Логачёву П.В. была присуждена ученая степень кандидата физико-математических наук, тема диссертации – «Получение ультрахолодных пучков и коротких интенсивных сгустков электронов с GaAs фотокатода». В 2010 году он защитил докторскую диссертацию по теме «Неразрушающая диагностика интенсивных сгустков заряженных частиц электронным пучком низкой энергии». В 2004 году Логачёву П.В. присвоено ученое звание доцент по специальности «Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника». Логачёв П.В. избран членом-корреспондентом Российской академии наук по специальности «Ядерная физика» 22 декабря 2011 г. В 2010 году Логачёв П.В. принял участие в работе Школы кадрового резерва по науке «Перспективные направления развития науки» ГК «РОСАТОМ». Логачёв П.В. ведёт преподавательскую работу на кафедре физики ускорителей физического факультета НГУ, читает курс «Источники пучков заряженных частиц», руководит аспирантами, под его руководством защищено 7 кандидатских диссертаций. Логачёв П.В. – член межведомственной рабочей группы по инфраструктуре научных исследований при Совете при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, с 1998 года по настоящее время входит в состав Учёного совета ИЯФ СО РАН, с 2011 года является членом Объединённого учёного совета по физическим наукам СО РАН.

Шарков Борис Юрьевич

Дата и место рождения - 11 февраля 1950 г., Москва Образование, ученые степени и звания: 1967–1973 гг. Московский инженерно-физический институт (МИФИ) 1978 г. Кандидат физико-математических наук 1991 г. Доктор физико-математических наук 1998 г. Профессор 2006 г. Член-корреспондент РАН 2016 г. Действительный член РАН Профессиональная деятельность: 1973–1986 гг. Московский инженерно-физический институт (МИФИ) инженер, старший научный сотрудник 1986–2005 гг. Институт теоретической и экспериментальной физики, старший научный сотрудник, начальник лаборатории, заместитель директора ГНЦ РФ ИТЭФ 2005–2008 гг. Директор ГНЦ РФ ИТЭФ 2009–2016 гг. Научный директор, председатель совета директоров ФАИР (FAIR GmbH — Facility for Antiproton and Ion Research) 2017–2018 гг. Заместитель директора ОИЯИ С марта 2018 г. Вице-директор ОИЯИ Научные интересы: Физика пучков заряженных частиц и ускорителей; Инерциальный термоядерный синтез на интенсивных пучках тяжелых ионов; Применение высокоинтенсивных ионных ускорителей для термоядерной энергетики; Экспериментальная физика плазмы, взаимодействие интенсивных пучков заряженных частиц с неидеальной плазмой; Генерация пучков тяжелых ионов при взаимодействии мощного лазерного излучения с ионизованной средой. Автор более 200 научных работ, более 60 приглашенных докладов на международных научных конференциях. Премии, почетные звания, награды Лауреат премии им. В.И. Векслера РАН (2008) Член Европейского физического общества (EPS) (2008) Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и технологий (2010) Почетный Знак им. Академика И.В. Курчатова Госкорпорации Росатом (2010) Почетный доктор ОИЯИ (2014) Член Европейской Академии наук (Academia Europaea) (2017)

Садовничий Виктор Антонович

Родился 3 апреля 1939 года. В 1963 году окончил механико-математический факультет МГУ Тема кандидатской диссертации - «Регуляризованные суммы собственных значений общих задач для обыкновенных дифференциальных уравнений» (1966) Тема докторской дисератции - «О некоторых вопросах теории обыкновенных дифференциальных уравнений, зависящих от спектрального параметра» (1974) С 1975 года — профессорМГУ. В 1981—1982 годах возглавлял кафедру функционального анализа и его приложений факультета вычислительной математики и кибернетики. С 1982 года и по сей день является заведующим кафедрой математического анализа механико-математического факультета. Работал в МГУ на следующих должностях: заместитель декана механико-математического факультета по научной работе, заместитель проректора, проректор (1982—1984), первый проректор (1984—1992). Ректором МГУ избран 23 марта 1992 года на альтернативной основе. Переизбирался в 1996, 2001, 2005 годах (набезальтернативной основе).

Сергеев Александр Михайлович

Александр Михайлович Сергеев родился 2 августа 1955 года в Бутурлино (Горьковская область). В 1977 году окончил радиофизический факультет Горьковского университета. С 1977 года работает в Институте прикладной физики РАН на должностях сначала стажёра-исследователя, затем младшего (с 1979 года) и старшего (с 1985 года) научного сотрудника. В 1982 году под руководством А. Г. Литвака защитил кандидатскую диссертацию по теме «Самовоздействие и трансформация интенсивных электромагнитных волн в магнитоактивной плазме». В 1991 году стал заведующим лабораторией сверхбыстрых явлений. С 1994 года — заведующий отделом сверхбыстрых явлений. В 2000 году защитил докторскую диссертацию по теме «Нелинейные волновые процессы при генерации сверхкоротких оптических импульсов и взаимодействии сильных оптических полей с веществом». В 2001 году был избран директором Отделения нелинейной динамики и оптики и становится заместителем директора ИПФ РАН. 22 мая 2003 года избран членом-корреспондентом РАН по Отделению ядерной физики (секция общей физики и астрономии). В 2012 году ушёл с должности директора Отделения и стал первым заместителем директора Института по научной работе. В июле 2013 года Сергеев заявил об отказе вступить в новую «РАН», учреждаемую предлагаемым законом, в знак протеста против планов правительства по реформе Российской академии наук (РАН). 28 октября 2016 года был избран действительным членом РАН. 26 сентября 2017 года избран президентом Российской академии наук.

Страницы