Разработка НИЯУ МИФИ отмечена золотой медалью крупнейшей международной выставки изобретений

8 июня 2017

Международное экспертное жюри оценило золотой медалью XX Международного салона изобретений и инновационных технологий «Архимед–2017» разработку коллектива ученых и специалистов Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ.

Юбилейный салон «Архимед» проводился при поддержке Администрации Президента РФ, Правительства Москвы, Министерства обороны РФ, Торгово-промышленной палаты РФ, Всемирной организации интеллектуальной собственности, Международной Федерации Ассоциаций изобретателей, Всероссийского общества изобретателей и рационализаторов.

В этом году крупнейший мировой форум, нацеленный на активизацию изобретательской, патентно-лицензионной и инновационной деятельности, собрал на одной площадке представителей из 20 государств и 50 регионов Российской Федерации. Лучшие изобретатели мира продемонстрировали около тысячи различных перспективных технологий.

МИФИ представил «Мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия» (Патент РФ №2581726). Разработка предназначена для использования в приборах радиосвязи, энергетики, бортовой аппаратуре космических аппаратов, а также объектах с повышенным уровнем радиации.

Для решения задачи повышения мощности транзистора предложен теплораспредлительный слой на рабочей поверхности прибора, позволяющий заметно снизить температуру в канале устройства и улучшить тем самым его функциональные характеристики.

Была решена задача о влиянии теплового распределительного слоя на температуру и вольтамперные характеристики нитридгаллиевых транзисторов с высокой подвижностью электронов. Изучен механизм возникновения пиков электронной и решеточной температур, т.н. горячих точек.

Изобретение создано в рамках реализации международного проекта МИФИ-БГУИР, посвященного разработке технологии отвода тепла, выделяющегося при работе СВЧ полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия.

Результаты исследований были представлены на научных сессиях, международных научно-практических конференциях и выставках и опубликованы в трех научных журналах, индексируемых в международных базах «Web of Science» и «Scopus».

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Московский инженерно-физический институт)  образован 8 апреля 2009 года на базе Московского инженерно-физического института (государственного университета). Историю ведёт от основанного в 1942 году Московского механического института боеприпасов (ММИБ). Первоначальной целью института ставилась подготовка специалистов для военных и атомных программ Советского Союза. В 1945 г. переименован в Московский механический институт, а в 1953 г. в Московский инженерно-физический институт (МИФИ). С 1993 г. — Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет). С 2003 г. — Московский инженерно-физический институт (государственный университет). С 2009 г. - Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ".