В рамках визита представители компании «Русатом Автоматизированные системы управления» (РАСУ) и «Русатом Микроэлектроника» (РАМ) посетили дизайн-центр «Вертикаль», а также центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Кроме того, стороны обсудили направления и механизмы дальнейшего сотрудничества.
Специалисты ТГУ презентовали гостям компетенции и имеющиеся наработки в области электроники и микроэлектроники, которые потенциально могут быть востребованы компаниями Росатома. В частности, речь шла о разработке и поставке электронной компонентной базы на основе широкозонных полупроводниковых соединений для силовой электроники и полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений на основе арсенида галлия (GaAs).
– Силовая электроника на основе кремниевой компонентной базы в настоящий момент достигла предела теоретического совершенства. В связи с этим переход к ЭКБ на основе нитрида галлия и карбида кремния является единственным путем для дальнейшего совершенствования вторичных источников электропитания и преобразователей электроэнергии. Именно в этом направлении мы видим перспективы для сотрудничества с Росатомом, – пояснил замдиректора дизайн-центра «Вертикаль» ТГУ Валерий Кагадей.
По мнению участников встречи, компетенции университета могут быть потенциально востребованы при реализации комплексной программы «Электроника и микроэлектроника» госкорпорации «Росатом», а также при проектировании и разработке интегрированных решений и устройств для их дальнейшего использования в составе интеллектуальных систем гражданского назначения.
