Россия и Китай будут сотрудничать в области широкозонных полупроводников и квантовых сенсоров

Пекинский университет (КНР) и Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Россия) будут сотрудничать в области физики широкозонных полупроводников и квантовых сенсоров на основе алмазов с NV-центрами. Меморандум о сотрудничестве и совместных научных исследованиях в этой области подписали директор института физики Пекинского университета Гао Синьцзян и директор Квантового центра МИФИ Николай Каргин  в присутствии ректора НИЯУ МИФИ Владимира Шевченко и ректора Пекинского университета Гун Цихуна.

Документ был подписан в ходе визита делегации в составе ректора МИФИ Владимира Шевченко, проректора Дмитрия Савкина и директора Квантового центра МИФИ Николая Каргина в Китайскую Народную Республику. Визит состоялся по приглашению китайских коллег. Программа включала знакомство с рядом ведущих научных организаций и университетов КНР.

Широкозонные полупроводники представляют собой третье поколение полупроводников, отличающиеся шириной запрещённой зоны  более 3 эВ. К широкозонным полупроводникам относятся, например, карбид кремния, нитрид галлия,  оксид галлия  и искусственный алмаз.

К числу преимуществ широкозонных полупроводников относится более высокая теплопроводность, позволяющая повысить эффективность усилителей и лазеров.  Перспективным направлением использования широкозонных полупроводников является силовая электроника, в частности электромобили, зарядные станции, ветроустановки, мощные усилители, переключатели и диоды.

NV-центр в алмазе – это дефект кристаллической решетки алмаза, состоящий из атома азота и соседней вакансии. В 20214 году МИФИ получил гранта в форме субсидии из федерального бюджета до 2026 года на разработку многокубитных спиновых квантовых сетей на основе примесных центров в алмазе.