В Китае создан высокоэнергетический имплантер водородных ионов для развития собственной полупроводниковой отрасли. Как сообщил в субботу Китайский институт атомной энергии, страна разработала свой первый аппарат данного типа под названием POWER-750H, характеристики которого соответствуют передовым международным стандартам.
Устройство играет ключевую роль в производстве полупроводников, используя ускоренные ионы для внедрения точно дозированных примесей в кремниевые пластины. Долгие годы Китай полностью зависел от импорта подобного оборудования, поскольку иностранные технологические ограничения и рыночные монополии сдерживали внутреннее развитие. Опираясь на многолетний опыт в ядерной физике и технологии ускорителей, институт применил методы тандемного ускорения, достигнув полной самостоятельности в проектировании.
Этот прорыв охватывает все этапы — от фундаментальных принципов до интеграции полной системы, что позволяет производить тандемные высокоэнергетические имплантеры водородных ионов внутри страны.
Эксперты отмечают, что овладение данной технологией имеет стратегическое значение, поскольку ионная имплантация считается одним из «четырёх основных инструментов» в производстве чипов. Разработка такого оборудования сопряжена с серьёзными техническими трудностями, требующими контроля множества параметров в нанометровом и даже атомном масштабе для обеспечения необходимой точности и стабильности. Стабильность ионного пучка критически важна для производительности чипов, а оборудование должно надежно работать в течение длительного времени в промышленных условиях.
Данное достижение знаменует собой значительный шаг в укреплении инфраструктуры полупроводникового производства Китая и снижении зависимости от зарубежных поставщиков критически важных технологий. За последнее десятилетие страна активизировала развитие собственной полупроводниковой промышленности, создавая более независимую цепочку поставок, что включает прогресс в областях травления, литографии, проектирования чипов и разработки специализированного программного обеспечения.