В Национальном центре физики и математики (НЦФМ) прошел научный семинар, посвященный EUV-литографии и перспективам создания отечественного EUV-литографа для микроэлектроники.
Как рассказал научный руководитель НЦФМ академик РАН Александр Сергеев, инициатива проведения семинара исходила от обучающихся в Центре магистрантов:
«Тема первого семинара выбрана не случайно. У нас учится много ребят, лазерщиков и плазменщиков, проходят занятия по лазерно-плазменной тематике, которая, на мой взгляд, является сегодня одной из определяющих в технологическом развитии – любые достижения или изменения в этой области оказывают существенное влияние на дальнейшие события в области развития науки и техники».
Заведующий отделом многослойной рентгеновской оптики Института физики микроструктур (ИФМ) РАН Николай Чхало рассказал о существующих в России заделах развития данного направления, промежуточных результатах проводимых НИОКР и планах дальнейшего развития работ. Он отметил, что в России существуют критические технологии, позволяющие разрабатывать и производить литографическое оборудование. В частности, есть сверхточная рентгеновская оптика (аберрации ≤1 нм), экспериментальные образцы источников рентгеновского излучения и масок, прототип микроскопа для масок в EUV-диапазоне. Более детальной проработки требуют имеющие заделы в системах совмещения и сканирования.
«Нами предложен проект высокопроизводительного рентгеновского литографа для производства микросхем по передовым технологическим нормам на основе источника излучения с длиной волны 11,2 нм. У нас есть экспериментальные результаты, указывающие на перспективы создания такого источника излучения на основе ксенона. Под него была разработана оптика с высоким коэффициентом отражения – рутениево-бериллиевые зеркала. В составе зеркальной оптической схемы литографа она будет примерно в 1,5 раза эффективнее того, что создано в зарубежных компаниях», - рассказал он.
По плану, которым поделился Николай Чхало, проект завершится к 2030 году. На первом этапе (2023-2024 гг.), после доработки необходимых критических технологий, учёные планируют создать альфа-литограф, который станет прототипом для отработки операций всего технологического цикла. Реализация всего проекта позволит наладить в России производство литографов, необходимых компонентов и систем для отечественных фабрик производства микросхем.
В ближайшее время в НЦФМ пройдут семинары по тематике атмосферного электричества и квантовых коммуникаций. В целом же предполагается, что каждая из десяти секций НЦФМ проведет семинары по направлениям проводимых исследований. По словам Александра Сергеева, проведение подобных семинаров в будущем позволит не только знакомить научное сообщество, студентов и магистрантов с последними достижениями российских учёных, с новыми возможностями, но и привлекать на площадку НЦФМ (включает кооперацию 55 научных институтов и университетов страны) новые направления научно-исследовательской деятельности, тем самым формируя научный центр будущего.
«Те, кто учится сегодня в «МГУ Саров», нацелены в дальнейшем остаться работать в периметре НЦФМ. Для этого нам важно заинтересовать их новыми интересными задачами, которые здесь будут решаться», - отметил он.
Литография – технология переноса рисунка с шаблона на конкретную поверхность, широко используется в микроэлектронике и других видах микротехнологий, а также в производстве печатных плат. Литографическое оборудование – один из важных элементов в создании передовых технологий для полупроводниковой индустрии. На сегодняшний день нидерландская компания «ASML» является монополистом в производстве оборудования для ЭУФ литографии, владеет технологией и системами, способными давать излучение с длиной волн 13,5 нм (EUV). EUV – экстремальный ультрафиолет, относится к длине волны света.
Сейчас наиболее широко используется глубокий ультрафиолет (Deep Ultraviolet (DUV)) с длиной волны 248 и 193 нм, но это оборудование уже относится к предыдущему поколению, новое поколение уже использует EUV.
