Новости16
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) был создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР Постановлением Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года.
В 2003 г. Постановлением Президиума РАН от 1.07.03 г. № 224 Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников реорганизован в Институт физики полупроводников СО РАН путем присоединения к нему Института сенсорной микроэлектроники СО РАН в качестве филиала.
В 2005 г. Постановлением Президиума РАН от 29.11.05 г. № 274 к ИФП СО РАН присоединен Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, который в настоящее время является филиалом ИФП СО РАН. В 2006 г. Постановлением Президиума РАН от 26.12.06 г. № 400 Институту присвоено имя академика А.В.Ржанова.
В 2007 г. Постановлением Президиума РАН от 18.12.07 г. № 274 Институт переименован в Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Институт является структурным звеном Российской академии наук, входит в состав организаций, объединяемых Учреждением Российской академии наук Сибирским отделением РАН.
Постановлением Президиума РАН №262 от 13 декабря 2011 года Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Постановлением Президиума СО РАН №440 от 14 декабря 2012 года в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук исключен из состава Института.
В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Учреждение передано в ведение Федерального агентства научных организаций.
В соответствии с Указом Президента Российской Федерации от 15 мая 2018 г. №215 «О структуре федеральных органов исполнительной власти» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 27 июня 2018 г. №1293-р Институт передан в ведение Министерства науки и высшего образования Российской Федерации.
Научно-методическое руководство Институтом и координацию проводимых исследований осуществляют Отделение физических наук РАН и Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН. Объединенный ученый совет СО РАН по физико-техническим наукам и Объединенный ученый совет СО РАН по нанотехнологиям и информационным технологиям 
external link, opens in a new tab взаимодействуют с отделениями РАН по областям и направлениям наук и координируют деятельность Института
В настоящее время Институт является исследовательским центром с широким фронтом деятельности в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, в развитии научных основ технологий полупроводниковой микро-, опто-, нано- и акустоэлектроники, информационных технологий и квантовой электроники.
Основные научные направления:
- актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем;
- элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектро- ники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики;
- актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.
В соответствии с этими направлениями в Институте проводятся исследования в рамках государственного задания.
Основные достижения Института связаны с исследованиями атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела фаз, квантовых эффектов в полупроводниковых системах пониженной размерности: сверхрешетках, гетероструктурах с квантовыми ямами, квантовыми проволоками и точками. На основе полученных фундаментальных результатов в Институте осуществлены разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, квантовых интерферометров, нанотранзисторов. Многолетние усилия Института по разработке и созданию оборудования молекулярно-лучевой эпитаксии и обеспечению современными диагностическими системами стали основой развития нанотехнологии для полупроводниковой электроники нового поколения.
Высшим признанием заслуг Института является присуждение 2 Государственных премий СССР, 5 Государственных премий РФ, 1 Государственной премии Совета Министров СССР, 2 премий Ленинского комсомола.
В Институте работают около 850 сотрудников, в том числе 218 научных сотрудников, среди них 3 академика, 4 члена-корреспондента РАН, 40 докторов наук и 114 кандидатов наук. Количество молодых научных сотрудников - 69. Аспирантов в аспирантуре ИФП СО РАН – 17.
В состав Института входят 5 отделов, 27 лаборатории и группы. Институт имеет один филиал: Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники».
Развернуть Свернуть
Год основания: 1964
Сектор: Институты
Адрес: 630090, Россия, Новосибирск, пp. ак. Лавpентьева, 13
Телефон: +7(383)330-90-55
E-mail: ifp@isp.nsc.ru
Веб-сайт: https://www.isp.nsc.ru/
Последнее обновление:
