21 ноября 2011

Третья компания из Дубны стала участником "Сколково"

Один из лидеров проекта профессор Георгий Шелков, заместитель директора Лаборатории ядерных проблем ОИЯИ

Компания "ГАрс", являющаяся резидентом особой экономической зоны (ОЭЗ) "Дубна" в Подмосковье и ведущая разработки в области ядерных технологий и компьютерной томографии, стала третьим участником инновационного центра "Сколково" из этой ОЭЗ, сообщили в ее пресс-службе.

Ранее компании "Цедис" и "СуперОкс-Инновации" стали первыми из резидентов ОЭЗ "Дубна", которые получили статус участников "Сколково". Инновационный центр "Сколково" должен стать крупнейшим в России испытательным полигоном новой экономической политики. На специально отведенной территории в ближнем Подмосковье будут созданы особые условия для исследований и разработок, в том числе для создания энергетических и энергоэффективных технологий, ядерных, космических, биомедицинских и компьютерных технологий.

"Компания "ГАрс" намерена реализовать, в том числе, проект по развитию методов компьютерной томографии и цветной рентгенографии. Это один из первых проектов, одобренных для реализации в рамках нанотехнологического центра "Дубна"", - говорится в сообщении.

В материале отмечается, что разработки компании "ГАрс" основаны на многолетнем опыте ученых и инженеров Объединенного института ядерных исследований, приобретенного, в том числе, в рамках крупных международных проектов.

Подробности

Компания «ГАрс» намерена реализовать проект по разработке матричных гамма-детекторов на базе нового полупроводникового материала — арсенида галлия и развитию методов компьютерной томографии и цветной рентгенографии. Это один из первых проектов, одобренных для реализации в рамках нанотехнологического центра «Дубна».

Разработки компании «ГАрс» основаны на многолетнем опыте ученых и инженеров Лаборатории ядерных проблем имени В.П.Джелепова Объединенного института ядерных исследований в создании детекторов, в том числе в рамках крупных международных проектов. Матричные гамма-детекторы на базе арсенида галлия (GaAs:Cr) имеют целый ряд конкурентных преимуществ:

  • технология создания пиксельных сенсоров на базе GaAs:Cr существует только в России;
  • отработана технология однородного легирования примесями с глубокими уровнями с целью увеличения толщины рабочей области до 1 мм;
  • при энергии гамма-квантов около 30 кэВ сенсор из арсенида галлия в 7–8 раз эффективнее аналогичного сенсора из кремния.

Детекторы, разрабатываемые дубненскими физиками в сотрудничестве с коллегами из Томска, позволят существенно расширить возможности сложного медицинского диагностического оборудования — рентгеновских аппаратов и компьютерных томографов, а также рентгеновской техники в других областях применения (системы безопасности, неразрушающий контроль, научные исследования и пр.).