29 января состоялась встреча ведущих ученых и преподавателей факультета «Экспериментальная и теоретическая физика» (факультета «Т») с учащимися школ, их родителями и учителями.
История факультета «Т» берет свое начало от Инженерно-физического факультета, образованного в 1945 г. в Московском механическом институте. 21 мая 1955 года факультет разделился на две части - Факультет теоретической и экспериментальной физики (ФТЭФ) и Физико-энергетический факультет (ФЭФ), а через два года ФТЭФ был переименован в Факультет экспериментальной и теоретической физики (Т).
Научная и учебно-педагогическая деятельность факультета «Т» формировалась при активном участии академиков А.М.Балдина, Н.Г.Басова, В.И.Гольданского, Б.Б.Кадомцева, Л.П.Феоктистова, Е.Н.Аврорина, Ю.М.Кагана, Л.Б.Окуня, А.Н.Скринского, В.П.Смирнова, Ю.А.Трутнева, член-корреспондентов Ю.Г.Абова, М.Ю.Кагана, Ю.П.Попова, Г.Н.Рыкованова и др.
Сегодняшний факультет «Т» НИЯУ МИФИ готовит специалистов-исследователей в самых разных областях теоретической и экспериментальной физики, физики твердого тела, ядерной физики, прикладной математики, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики, медицинской физики и т.п.
Ученые, стажеры и аспиранты факультета принимают активное участие в выполнении научных национальных программ, используя не только свою экспериментальную базу, но и в рамках международных программ с Международным Экспериментальным Термоядерным Реактором (ITER), Европейским центром ядерных исследований (CERN), Немецким электронным синхротроном (DESY), Сверхпроводящим суперколлайдером (SSC, США) и другими международными центрами.
Декан факультета «Т» В.Н.Беляев рассказал школьникам и их родителям о приоритетных направлениях экономики России, по которым ведется работа на факультете «Т» и о сетевой структуре университета. По его словам миссией НИЯУ МИФИ является подготовка и переподготовка кадров в сфере современных наукоемких технологий для обеспечения национальных интересов России, а также удовлетворение кадровых потребностей атомной отрасли по наукоемким специальностям.
Декан привел ряд примеров по участию университета в реализации проектов по приоритетным направлениям развития российской экономики – ядерные технологии, энергоэффективность и энергосбережение, космические технологии, медицинские технологии, стратегические информационные технологии, а также рассказал об учебно-исследовательских центрах коллективного пользования и участии НИЯУ МИФИ в международных проектах.
Научный руководитель Высшей школы физики имени Н.Г.Басова МИФИ-ФИАН академик РАН О.Н.Крохин назвал физику воплощением личного интереса к познанию мира.
«Физика для нас является системообразующей областью знаний, дающей основу для великих технических достижений», - отметил академик.
Начальник управления развития перспективных исследований Н.И.Каргин рассказал собравшимся о Научно-образовательном центре по направлению «Нанотехнологии» (НОЦ «Нанотехнологии»). По его словам, основными направлениями научно-практической деятельности НОЦ являются фундаментальные разработки и исследования в области физики полупроводников, фотонных кристаллов, гетероструктурной СВЧ–электроники, высокотемпературных сверхпроводников, а также изучение электрофизических свойств полупроводниковых материалов и моделирование свойств многослойных наногетероструктур.
Н.И.Каргин в своей презентации рассказал о чистых производственных помещениях и инженерных зонах НОЦ, представил установленное в нем оборудование, привел примеры основных технологических операций.
В заключение своего выступления, Н.И.Каргин пригласил всех желающих посетить с экскурсией уникальный научно-образовательный центр НИЯУ МИФИ.
Студент 5 курса факультета «Т» кафедры №31 «Прикладная математика» Тимофей Федянин рассказал в общих словах об обучении в НИЯУ МИФИ, спортивной жизни, отдыхе и возможностях участия студентов в культурной жизни университета, а также привел примеры профессионального развития некоторых выпускников.
Начальник управления организации учебной деятельности и обеспечения приема в университет, ответственный секретарь приемной комиссии И.В.Цветков рассказал школьникам и их родителям об особенностях приема в НИЯУ МИФИ в 2012 году, вступительных испытаниях и льготах при поступлении. В этом году, по словам ответственного секретаря приемной комиссии, на факультет «Т» планируется принять по бюджетной форме обучения 306 студентов, из них 252 бакалавра, 15 специалистов и 39 магистров. Для поступления на направления подготовки бакалавриата и специалитета необходимо представить результаты ЕГЭ по русскому языку, математике и физике. Поступающие в магистратуру должны пройти собеседование по специальности.
Заведующий кафедрой №67 «Наноразмерные гетероструктуры и СВЧ-наноэлектроника» В.П.Гладков рассказал школьникам о возможностях, которые открываются выпускникам после окончания университета. По его словам, интерес к техническим специальностям растет, а выпускники НИЯУ МИФИ пользуются большим спросом. В своем обращении он призвал будущих студентов для достижения успеха в учебе упорно трудиться уже с первого курса.
Начальник отдела олимпиад НИЯУ МИФИ С.Е.Муравьев подвел итог и провел награждение победителей и призеров отборочных туров олимпиады «Росатом» по математике и физике для школьников 7-11 классов.
По окончании торжественной части Дня открытых дверей для школьников и их родителей было организовано посещение базовых кафедр, уникальных установок и научных центров факультета «Т».