6-7 июня 2017 года в г. Лыткарино Московской области состоялась юбилейная 20-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» - «Стойкость-2017», в которой приняли участие сотрудники НОЦ «Стойкость» (ИЭПЭ НИЯУ МИФИ и АО «ЭНПО СПЭЛС»).
В общей сложности, на конференцию приехало более двухсот пятидесяти ученых со всей России - специалистов более 60 организаций - ведущих научно-исследовательских институтов Росатома и Роскосмоса, предприятий оборонных отраслей промышленности, Академии наук, Высшей школы. Всех участников юбилейной конференции приветствовали глава города Лыткарино Евгений Викторович Серёгин и Александр Членов, генеральный директор АО «Научно-исследовательский институт приборов», которое является организатором конференции.
В программе конференции были представлены доклады по основным тематическим направлениям проведения испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на радиационную стойкость. Работа конференции проходила в двух направлениях: стендовые доклады и устные выступления. Всего представлено 129 стендовых и 19 устных докладов, из которых 56 стендовых и 7 устных от сотрудников НОЦ «Стойкость». Тезисы докладов вошли в сборник конференции «Стойкость-2017».
Устные доклады сотрудников НОЦ «Стойкость» на конференции «Стойкость-2017»
- А.И. Чумаков, А.В. Согоян, А.А. Смолин Оценка частот одиночных эффектов с использованием диффузионного приближения
- А.О. Ахметов, В.М. Ужегов, А.И. Чумаков, А.В. Согоян, Д.В. Бойченко, А.В. Яненко, М.В. Яковлев, А.Б. Боруздина, А.В. Уланова Анализ возможных подходов к оценке норм радиационных испытаний при воздействии ТЗЧ и ВЭП
- И.О. Метелкин, Н.А. Усачев, В.В. Елесин, Д.И. Сотсков, Г.Н. Назарова, Г.В. Чуков, К.М. Амбуркин, А.Г. Кузнецов Влияние структурных повреждений на характеристики СВЧ ИС на основе SiGe и GaAs гетеробиполярных транзисторов
- А.А. Печенкин, Д.В. Савченков, А.А. Новиков, Д.Е.Протасов, М.М. Новикова, А.Б. Боруздина, А.В. Яненко, А.И. Чумаков Методический подход и практические решения при определении сохранения работоспособности ЭРИ в состоянии ТЭ при воздействии ОЯЧ
- А.Я. Борисов, Л.Н. Кессаринский, Д.В. Бойченко, Ю.М. Московская, В.В. Эннс Радиационное поведение современных аналоговых СБИС: особенности поведения, проведению испытаний, рациональные методы оценки стойкости
- Г.С. Сорокоумов, Д.В. Бобровский, А.И. Чумаков Контроль кратковременных переходных процессов в ПЛИС и БМК при воздействии отдельных ядерных частиц
- А.А. Новиков, А.И. Чумаков, А.А. Печенкин Влияние накопленной дозы на параметры чувствительности ИС к воздействию ТЗЧ
