В главном зале Государственного Кремлевского дворца состоялось вручение Премии Правительства Москвы молодым ученым. Мэр города Сергей Собянин и представители Правительства наградили сотрудников ведущих научных организаций и вузов, представивших своих разработки.
Пятый год подряд Правительство Москвы отбирает лучшие заявки на соискание премии аспирантам, кандидатам наук, научным работникам, специалистам в возрасте до 35 лет и докторам наук в возрасте до 40 лет. В этом году дипломами лауреатов были награждены 48 молодых ученых из Российской академии наук, МГУ имени М.В. Ломоносова, Министерства здравоохранения РФ, НИЯУ МИФИ, ВШЭ, МИСиС и др.
Первые дипломы лауреатам вручил мэр Москвы Сергей Собянин: «В Москве нет месторождений газа, нефти, железа, угля, зато в Москве есть неиссякаемые запасы интеллекта и знаний, благодаря которым наш город по праву занимает лидирующие позиции в отечественной и мировой науке».
Также лауреатам вручила дипломы и поздравила министр образования РФ Ольга Васильева: «Сегодня отечественная наука - один из ключевых ресурсов отечественной экономики». Васильева подчеркнула, что выдающиеся научные центры действуют по всей России: Казань, Новосибирск, Нижний Новгород, Дальний Восток. Но сосредоточены науки именно в Москве.
Президент Российской академии наук Александр Сергеев вручил третий блок дипломов: «С 1934 года Российская академия наук была переведена в Москву и с тех пор неразрывно связана с Москвой. Это крупнейший академический центр страны. Если сравнивать с мегаполисами мира, видим, что Москва - такой же крупный политический, культурный, финансовый центр, как Нью-Йорк, Лондон, Токио. Но если рассматривать науку, то Москва - это и крупнейший научный центр. Концентрация интеллекта существенно выше, чем в других столицах».
Аспиранты Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ Станислав Шостаченко и Роман Захарченко победили в номинации «Электроника и средства связи» с разработкой мощного СВЧ усилителя на основе нитрида галлия с теплоотводом на основе графена.
Устройство предназначено для использования в приборах радиосвязи, энергетики, бортовой аппаратуре космических аппаратов, а также объектах с повышенным уровнем радиации. Для решения задачи повышения мощности транзистора предложен теплораспредлительный слой на рабочей поверхности прибора, позволяющий заметно снизить температуру в канале устройства и улучшить тем самым его функциональные характеристики.
«Была решена задача о влиянии теплового распределительного слоя на температуру и вольтамперные характеристики нитридгаллиевых транзисторов с высокой подвижностью электронов. Изучен механизм возникновения пиков электронной и решеточной температур, т.н. горячих точек», - отметил Роман Захарченко.
Впервые Премия Правительства Москвы была присуждена в 2013 году в 8 номинациях. Тогда лауреатами 7 номинаций стали молодые ученые Российской академии наук. В этом году были представлены уже 10 научных организаций в 18 номинациях. Стать обладателем одной из 33 премий может молодой исследователь или научный коллектив до трех человек из Москвы.