За заслуги в научно-педагогической деятельности, подготовке квалифицированных специалистов и многолетнюю добросовестную работу Указом Президента Российской Федерации от 23.11.2023 г. № 895, заместитель директора центра экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ, доктор технических наук, профессор Александр Иннокентьевич Чумаков награждён государственной наградой –медалью «За заслуги в освоении атомной энергии».
Александр Иннокентьевич – известный ученый в области прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники, обеспечения качества и надежности электронной компонентной базы специального назначения, является признанным лидером в области оценки стойкости изделий ЭКБ к эффектам воздействия высокоэнергичных отдельных ядерных частиц.
А.И. Чумаков принимал активное участие в создании современных методов и средств моделирования и прогнозирования радиационной стойкости изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов, в разработках технических и методических средств испытаний для электронной компонентной базы, комплектующих важнейшие образцы вооружения, военной, космической и ядерной техники. Непосредственно участвовал в радиационных испытаниях более 300 типов изделий микроэлектроники к радиационным факторам искусственного и естественного происхождений. Разработал и внедрил высокоэффективные методы и уникальные испытательные установки для оперативной оценки и контроля радиационной стойкости микросхем в процессе их разработки и производства, которые применяются на предприятиях ядерного оружейного комплекса Госкорпорации «Росатом».
А.И. Чумаков – автор более 350 научных трудов, в том числе более 200 из них опубликованы в базе данных РИНЦ, 4 книг, 7 учебных пособий, 8 изобретений и полезных моделей.
Профессор Александр Чумаков награждён многими ведомственными, отраслевыми, корпоративными и другими наградами. В 2010 году А.И Чумаков стал лауреатом премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники за разработку базовой технологии прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники.