В ходе рабочего визита в Новосибирск президент РАН академик Геннадий Красников посетил Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Он познакомился с основными направлениями работы НИИ, включая флагманское — метод молекулярно-лучевой эпитаксии — оптимальный для создания новых полупроводниковых материалов с контролируемой точностью. Ученые Института рассказали о прикладных и фундаментальных разработках, связанных с созданием приборных структур и электронной компонентной базы для СВЧ-электроники и фотоники, спинтроники, приборостроением, а также сенсорных технологий для оценки состояния здоровья человека.
Встречу открыл директор Института физики полупроводников академик РАН Александр Латышев, представив ключевые проекты института. Затем специалисты ИФП СО РАН продемонстрировали разные направления исследований, сделав акцент на недавних достижениях.
О разработке электронной компонентной базы для СВЧ-электроники, фотоники и радиофотоники рассказал заведующий лабораторией ИФП СО РАН к.ф.-м.н. Дмитрий Гуляев.
К.ф.-м.н. Сергей Мутилин представил динамический пространственный фазовый модулятор света на жидких кристаллах с мегапиксельным разрешением. О разработках структур «кремний на изоляторе», в том числе с использованием диоксида гафния, рассказал д.ф.-м.н., заведующий лабораторией ИФП СО РАН Владимир Попов.
Олег Терещенко, заведующий лабораторией ИФП СО РАН, профессор РАН, д.ф.-м.н. посвятил доклад твердотельной и вакуумной спинтронике и оптоэлектронике — речь шла о фотоприемных устройствах на основе электронно-оптических преобразователей, вакуумных диодах, а также о выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии соединений PbSnTe, Bi-соединений, HgS и других материалов.
О молекулярно-лучевой эпитаксии в открытом космосе — установке для роста полупроводников на орбите, сделанной в ИФП СО РАН, рассказал заведующий лабораторией ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Александр Никифоров.
Дмитрий Щеглов, заведующий лабораторией ИФП СО РАН д.ф.-м.н. поделился первыми результатами, связанными с созданием отечественного оптического интерферометра. По его словам, «эти опытно-конструкторские работы ведутся в рамках конкурса Минобрнауки России по разработке отечественных научных приборов».
Заведующий лабораторией ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Василий Швец рассказал о создании отечественных эллипсометров в ИФП СО РАН, а к.ф.-м.н. Виктор Федоринин акцентировал внимание на создании эллипсометра для терагерцового диапазона.
Главный научный сотрудник ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Владимир Гриценко представил сообщение о вигнеровской кристаллизации локализованных электронов в SONOS/ТАНОС флэш-памяти и её влиянии на запоминающие свойства.
Ведущий научный сотрудник ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Ирина Антонова рассказала о сенсорах на основе графена: для тестирования реакций нервной системы, неинвазивном сенсоре для оценки содержания глюкозы в организме по поту и сенсоре для анализа выдыхаемого воздуха.
Встреча завершилась осмотром установки молекулярно-лучевой эпитаксии — собственной разработки ИФП СО РАН. О ее работе гостям рассказал заместитель директора ИФП СО РАН к.ф.-м.н. Георгий Сидоров.
