Ученые Института физики полупроводников им.А.В. Ржанова (ИФП, Новосибирск) создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью), в тысячу раз более эффективных, чем флеш-память, сообщает пресс-служба ИФП.
Материал представляет собой композит из наночастиц оксида ванадия,…